食人岛

B |     7月22日，据财闻海外资讯，三星电子、SK海力士（SKHY.US）与美光科技（MU.US）三大存储芯片厂商全面展开HBM4良率竞争。作为第六代高带宽内存，HBM4将应用于英伟达（NVDA.US）下半年推出的Vera Rubin等AI加速芯片，成为下半年企业业绩关键支撑。         三星已率先实现HBM4规模化量产，业内预估其良率接近70%，得益于1C工艺DRAM（年初良率稳定超80%）的持续带动，良率管控能力显著提升。报道称，训练在安达曼海至孟加拉湾实施，日本海上自卫队护卫舰“出云”号和“高波”号，印度海军的驱逐舰、护卫舰、潜艇和战机等参加。海自透露称，训练了反潜战、射击、防空战等。9月8日，日印两国在东京召开了外长防长磋商(2+2)，就扩充联合训练达成了共识。海自一把手、海上幕僚长酒井良在13日的记者会上表示，今后也将继续努力强化日印合作。         SK海力士虽未公布精确良率，但行业判断其已进入稳定区间。为巩固超半HBM市场份额，其正洽谈引进新生产设备，以优化工艺并扩大产能。         美光因产能基础相对薄弱，正加速推进良率爬坡与大规模设备投资，同步提升产出能力。         良率（合格芯片占比）直接决定交付量与盈利空间，是厂商攻坚核心。

C | 尽管此前通用DRAM短期利润反超，但其涨价空间已趋缓（一季度近翻倍、二季度30%–50%、三季度0%–20%），而HBM需求持续扩张、高毛利优势将重归主导。

D |          业内人士表示：“三星抢先落地 HBM4 量产，良率提升带来的供货增量、利润增长已经在二季度财报中充分体现；下半年该趋势将延续，三大存储企业的良率竞争会进一步白热化。

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Published on:20:52:03